Apple оснастит iPhone 6s 2 Гб оперативной памяти стандарта DDR4

С самого релиза iPhone 6 и iPhone 6 Plus на многих форумах обсуждается нехватка оперативной памяти. По мнению пользователей Apple специально установила модули на 1 Гб ОЗУ, чтобы в следующем поколении iPhone увеличить этот объем и преподнести это как новинку. Напоминаем, что нынешние флагманы на Android оснащаются уже 3-4 Гб оперативной памяти, тогда как нынешнее поколение всего одним.

4gb-1

Ресурс Gforgames, ссылаясь на надежного тайваньского поставщика компонентов для Apple, сообщил о увеличении объёма оперативной памяти в iPhone 6s и iPhone 6s Plus до 2 Гб. Помимо этого, по информации издания, будет использоваться DDR4, вместо нынешнего DDR3. Увеличение ОЗУ до 2 Гб и переход на DDR4 позволит увеличить быстродействие нового iPhone, а так же увеличить его время автономной работы.

Немного цифр: нынешняя память DDR3 имеет максимальную пропускную способность в 17 Гбит/с, тогда как DDR4 умеет разгоняться до 34 Гбит/с. Получается, что оперативная память нового поколения в два раза быстрее нынешней. Установка таких модулей памяти в новые смартфоны Apple позволит увеличить быстродействие системы и улучшить отклик системы на действия пользователя.

Релиз iPhone 6s и iPhone 6s Plus ожидается уже в сентября 2015 года, тогда как iOS 9 покажут на WWDC 2015.

До 10 марта включительно у всех желающих есть уникальная возможность совершенно бесплатно получить спортивный браслет Xiaomi Mi Band 3, потратив на это всего 2 минуты своего личного времени.

Присоединяйтесь к нам в Twitter, Facebook, ВКонтакте, YouTube, Google+ и RSS чтобы быть в курсе последних новостей из мира технологий будущего.

Не забывайте соблюдать правила общения.

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: