Apple оснастит iPhone 6s 2 Гб оперативной памяти стандарта DDR4

С самого релиза iPhone 6 и iPhone 6 Plus на многих форумах обсуждается нехватка оперативной памяти. По мнению пользователей Apple специально установила модули на 1 Гб ОЗУ, чтобы в следующем поколении iPhone увеличить этот объем и преподнести это как новинку. Напоминаем, что нынешние флагманы на Android оснащаются уже 3-4 Гб оперативной памяти, тогда как нынешнее поколение всего одним.

4gb-1

Ресурс Gforgames, ссылаясь на надежного тайваньского поставщика компонентов для Apple, сообщил о увеличении объёма оперативной памяти в iPhone 6s и iPhone 6s Plus до 2 Гб. Помимо этого, по информации издания, будет использоваться DDR4, вместо нынешнего DDR3. Увеличение ОЗУ до 2 Гб и переход на DDR4 позволит увеличить быстродействие нового iPhone, а так же увеличить его время автономной работы.

Немного цифр: нынешняя память DDR3 имеет максимальную пропускную способность в 17 Гбит/с, тогда как DDR4 умеет разгоняться до 34 Гбит/с. Получается, что оперативная память нового поколения в два раза быстрее нынешней. Установка таких модулей памяти в новые смартфоны Apple позволит увеличить быстродействие системы и улучшить отклик системы на действия пользователя.

Релиз iPhone 6s и iPhone 6s Plus ожидается уже в сентября 2015 года, тогда как iOS 9 покажут на WWDC 2015.

До 19 августа включительно у всех желающих есть уникальная возможность бесплатно получить спортивный браслет Xiaomi Mi Band 3, потратив на это всего 1 минуту своего личного времени.

Присоединяйтесь к нам в Twitter, Facebook, ВКонтакте, YouTube, Google+ и RSS чтобы быть в курсе последних новостей из мира технологий будущего.

Не забывайте соблюдать правила общения.

Добавить комментарий

Вы ввели некорректные логин или пароль

Извините, для комментирования необходимо войти.

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: