С самого релиза iPhone 6 и iPhone 6 Plus на многих форумах обсуждается нехватка оперативной памяти. По мнению пользователей Apple специально установила модули на 1 Гб ОЗУ, чтобы в следующем поколении iPhone увеличить этот объем и преподнести это как новинку. Напоминаем, что нынешние флагманы на Android оснащаются уже 3-4 Гб оперативной памяти, тогда как нынешнее поколение всего одним.

Ресурс Gforgames, ссылаясь на надежного тайваньского поставщика компонентов для Apple, сообщил о увеличении объёма оперативной памяти в iPhone 6s и iPhone 6s Plus до 2 Гб. Помимо этого, по информации издания, будет использоваться DDR4, вместо нынешнего DDR3. Увеличение ОЗУ до 2 Гб и переход на DDR4 позволит увеличить быстродействие нового iPhone, а так же увеличить его время автономной работы.

Немного цифр: нынешняя память DDR3 имеет максимальную пропускную способность в 17 Гбит/с, тогда как DDR4 умеет разгоняться до 34 Гбит/с. Получается, что оперативная память нового поколения в два раза быстрее нынешней. Установка таких модулей памяти в новые смартфоны Apple позволит увеличить быстродействие системы и улучшить отклик системы на действия пользователя.

Релиз iPhone 6s и iPhone 6s Plus ожидается уже в сентября 2015 года, тогда как iOS 9 покажут на WWDC 2015.

Источник изображений: «Яндекс Картинки»

Присоединяйтесь к нам в Google News, Twitter, Facebook*, Instagram*, ВКонтакте, YouTube и RSS чтобы следить за новостями и оперативно получать интересные материалы.

* Сервисы признаны судом экстремистскими и запрещены в России.